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电子材料性能
期末考试
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简答题
pn结的击穿主要分为[填空1]、 [填空2] 和[填空3] 三种类型
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简答题
半导体的电阻率随温度的升高一般呈()趋势。 A、增大 B、减小 C、不变 D、增大或减小
简答题
溅射法相比蒸发法制得的薄膜成分更均匀 A、正确 B、错误
简答题
低温低损伤沉积的CVD方法是（） A、PECVD B、光CVD C、热CVD D、MOCVD
简答题
镍铬合金中铬含量大于60%时电阻率急剧增加，所以铬含量越多越好 A、正确 B、错误
简答题
Pd-Ag浆料因制备高阻和低阻较为困难限制了其应用 A、正确 B、错误
简答题
本征吸收要求光子的能量 [填空1] 半导体的禁带宽度。
简答题
非牛顿流体均可用作厚膜浆料 A、正确 B、错误
简答题
真空各区域的气体分子运动性质各不相同 A、正确 B、错误
简答题
磁性靶材溅射时，可采用以下方法提高沉积速率（） A、加强磁场 B、加强电场 C、靶材减薄 D、靶材对向布置
简答题
Au-Pd系导体浆料的开发是为了解决Au导体（）的问题。 A、导电性 B、成本 C、附着性 D、焊接性
简答题
半导体在方向相互垂直的电场与磁场作用下，产生的横向电势差的效应称为[填空1] ，由其制成的半导体器件称为[填空2]。
简答题
光刻技术是一种加法工艺 A、正确 B、错误
简答题
决定浆料电性能的组成是（） A、功能相 B、粘接相 C、有机溶剂 D、表面活化剂
简答题
对于非简并杂质半导体，随着掺杂浓度的增加，电阻率下降。 A、正确 B、错误
简答题
在蒸发沉积中，薄膜材料的纯度与哪些因素相关（） A、蒸发原料 B、真空度 C、蒸发源 D、源基距
简答题
半导体的内建电场场强由 [填空1] 区指向[填空2] 区
简答题
铜合金比纯金属具有更好的机械性能，并且电导率高 A、正确 B、错误
简答题
霍尔效应中，在与电流垂直的方向加磁场后，半导体的电阻降低。 A、正确 B、错误
简答题
薄膜导电材料的电阻率高于同种块状材料的电阻率 A、正确 B、错误
简答题
塞贝克效应的半导体环路中，当电流的方向改变时，放热和吸热的接头也随之改变 A、正确 B、错误
电子材料性能
章节列表
第一章 电子材料概论
3
第五章 半导体材料
10
第二章 薄膜和厚膜工艺
32
第三章 导电材料与电阻材料
35
第四章 超导材料
13
第六章 电介质材料
18
第七章 磁性材料
28
第八章 光电材料
34
第九章 敏感材料与器件
6
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