下列因素中对于培养晶体不利的是
A、样品的纯度较高
B、培养单晶的物质在适宜溶剂中溶解度适中
C、通过室温挥发方法生长晶体时挥发速率适中
D、饱和溶液在挥发过程中进入了较多灰尘