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电子电路基础
第1章 半导体基础元件与非线性电路
题目详情
简答题
A、三个极分别为：C、B、E
B、三个极分别为：C、E、B
C、三极管为硅管
D、三极管为锗管
E、三极管为NPN型
F、三极管为PNP型
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简答题
关于双极结型三极管的结构特点，以下表述正确的是（ ）。 A、发射区掺杂浓度高 B、发射区掺杂浓度低 C、基区很薄，掺杂浓度很低 D、基区很厚，掺杂浓度很高 E、集电结面积小 F、集电结面积大
简答题
由二极管构成的限幅电路是利用了二极管的（ ）。 A、反向击穿特性 B、电容特性 C、热敏特性 D、单向导电特性
简答题
稳压二极管在稳压时是利用了二极管的（ ）。 A、反向击穿特性 B、单向导电特性 C、电容特性 D、热敏特性
简答题
三极管是（ ）控制型器件，场效应管是（ ）控制型器件。 A、双极性电流 单极性电压 B、单极性电流 双极性电压 C、双极性电压 单极性电流 D、单极性电压 双极性电流
简答题
A、放大区 饱和区 B、饱和区 放大区 C、放大区 放大区 D、饱和区 截止区
简答题
N 型半导体中的多数载流子是自由电子, P型半导体中的多数载流子是空穴。
简答题
理想二极管正向导通时等效电阻为零, 反向截止时等效电阻为无穷大。
简答题
温度升高后，本征半导体内自由电子和空穴浓度会增大, 并且自由电子和空穴的浓度仍然相等。
简答题
A、(A) B、(B) C、(C) D、(D)
简答题
PN结加正向偏压时, 其耗尽层变厚, 加反向偏压时, 其耗尽层变薄。
简答题
A、(A) N沟道增强型MOSFET (B) N沟道耗尽型MOSFET B、(A) P沟道增强型MOSFET (B) P沟道耗尽型MOSFET C、(A) N沟道增强型MOSFET (B) P沟道耗尽型MOSFET D、(A) N沟道耗尽型MOSFET (B) P沟道增强型MOSFET
多选题
A、增大 B、减小 C、不变
简答题
A、D2导通，D1、D3截止 B、D3导通，D1、D2截止 C、D1截止，D2、D3导通 D、D1导通，D2、D3截止
简答题
半导体中的载流子包括（ ）。 A、电子 B、自由电子 C、空穴 D、正离子
简答题
在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（ ），而少数载流子的浓度与（ ）关系十分密切。 A、掺杂浓度 温度 B、温度 掺杂浓度 C、掺杂浓度 掺杂浓度 D、温度 温度
简答题
在直流稳压电源中，二极管桥式整流电路是利用了二极管的（ ）。 A、反向击穿特性 B、电容特性 C、单向导电特性 D、热敏特性
简答题
只要在稳压管两端加反向电压就能起稳压作用。
简答题
晶体三极管具有两个PN结，因此把两个二极管反向串联起来，也能具有放大能力。
多选题
只要在稳压管两端加反向电压就能起稳压作用。（ ）
简答题
A、A B、B C、C D、D
电子电路基础
章节列表
第1章 半导体基础元件与非线性电路
24
第2章 放大单元与基本组成电路
32
第3章 放大器频率特性基础
10
第4章 反馈放大结构与应用
14
第5章 集成运算放大器及其应用
21
