在PN结的光电效应的基础上，通过增加耗尽层（I层）的宽度，从而制造出了PIN光电二极管。增加I层的目的是（     ）

A 为了加快电子-空穴对的漂移时间
B
为了减缓电子-空穴对的漂移时间。


C 为了提高载流子产生的光电转换效率。
D 为了抑制电子-空穴对的产生。